法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-07
授权
授权
2015-12-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H03L 7/18 申请日:20150701
实质审查的生效
2015-12-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H03L 7/18 申请日:20150701
实质审查的生效
2015-11-11
公开
公开
2015-11-11
公开
公开
机译: 具有双异质结构的半导体激光器-由砷化镓和砷化镓铝制成,阈值低
机译: 具有双异质结构的半导体激光器-由砷化镓和砷化镓铝制成,阈值低
机译: 双异质结构注入激光器-带状结,使用砷化镓衬底和砷化镓铝层