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金属层致能定向自组装半导体布局设计

摘要

本发明涉及金属层致能定向自组装半导体布局设计,揭示用于形成DSA预图案的半导体晶体管布局与所产生的器件的方法。具体实施例可包括通过定向自组装(DSA,Directed Self‑Assembly)以形成预图案晶体管布局,用以在该DSA预图案晶体管布局上面形成金属层,包括:形成多个水平金属线;及形成多个垂直金属段,其与相邻水平金属线隔一距离且其间为不连续;及形成一或多个桥接点,每一个连接该多个水平金属线的一个至该多个垂直金属段的一个,其中所述桥接点的位置决定所产生的晶体管胞元的逻辑功能。

著录项

  • 公开/公告号CN104051452B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格罗方德半导体公司;

    申请/专利号CN201410055608.4

  • 发明设计人 J·徐;V·戴;

    申请日2014-02-19

  • 分类号

  • 代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 英属开曼群岛大开曼岛

  • 入库时间 2022-08-23 09:55:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-17

    授权

    授权

  • 2014-10-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20140219

    实质审查的生效

  • 2014-09-17

    公开

    公开

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