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2010 IEEE International Electron Devices Meeting
2010 IEEE International Electron Devices Meeting
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1.
High performance CMOS-compatible super-junction FINFETs for Sub-100V applications
机译:
适用于100V以下应用的高性能CMOS兼容超结FINFET
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
2.
Ultra-low power TFTs with 10 nm stacked gate insulator fabricated by nitric acid oxidation of Si (NAOS) method
机译:
通过Si的硝酸氧化(NAOS)方法制造的具有10 nm堆叠栅绝缘体的超低功率TFT
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
3.
Oxide TFT rectifier achieving 13.56-MHz wireless operation with DC output up to 12 V
机译:
氧化物TFT整流器可实现13.56 MHz无线操作,直流输出高达12 V
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
4.
Very high performance non-volatile memory on flexible plastic substrate
机译:
柔性塑料基板上的超高性能非易失性存储器
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
5.
Submicron low-voltage organic transistors and circuits enabled by high-resolution silicon stencil masks
机译:
高分辨率硅模板掩模可实现亚微米低压有机晶体管和电路
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
6.
3D Monte Carlo simulation of the programming dynamics and their statistical variability in nanoscale charge-trap memories
机译:
纳米级电荷陷阱存储器中编程动力学及其统计变异性的3D蒙特卡洛模拟
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
7.
Numerical analysis of typical STT-MTJ stacks for 1T-1R memory arrays
机译:
用于1T-1R存储阵列的典型STT-MTJ堆栈的数值分析
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
8.
Quantitative model for TMR and spin-transfer torque in MTJ devices
机译:
MTJ器件中TMR和自旋传递扭矩的定量模型
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
9.
Graphene field-effect transistors based on boron nitride gate dielectrics
机译:
基于氮化硼栅极电介质的石墨烯场效应晶体管
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
10.
Impacts of graphene/SiO
2
interaction on FET mobility and Raman spectra in mechanically exfoliated graphene films
机译:
石墨烯/ SiO
2 inf>相互作用对机械剥离石墨烯薄膜中场效应管迁移率和拉曼光谱的影响
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
11.
Low-resistive and homogenous NiPt-silicide formation using ultra-low temperature annealing with microwave system for 22nm-node CMOS and beyond
机译:
使用超低温退火技术和微波系统形成低电阻且均匀的NiPt硅化物,适用于22nm节点CMOS及以上
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
12.
Ultra-low series resistance W/ErSi
2
+-Si and W/Pd
2
Si/p+-Si S/D electrodes for advanced CMOS platform
机译:
超低串联电阻W / ErSi
2 inf> / n + sup> -Si和W / Pd
2 inf> Si / p + sup > -Si S / D电极,用于高级CMOS平台
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
13.
Contact resistance reduction to FinFET source/drain using dielectric dipole mitigated Schottky barrier height tuning
机译:
使用介电偶极子减轻了肖特基势垒高度调整,降低了FinFET源极/漏极的接触电阻
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
14.
Atomic-layer-deposited LaAlO
3
/SrTiO
3
all oxide field-effect transistors
机译:
原子层沉积LaAlO
3 inf> / SrTiO
3 inf>所有氧化物场效应晶体管
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
15.
Self-aligned metal source/drain In
x
Ga
1−x
As n-MOSFETs using Ni-InGaAs alloy
机译:
使用Ni-InGaAs合金的自对准金属源极/漏极In
x inf> Ga
1-x inf> As n-MOSFET
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
16.
High performance 22/20nm FinFET CMOS devices with advanced high-K/metal gate scheme
机译:
具有先进的高K /金属栅极方案的高性能22 / 20nm FinFET CMOS器件
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
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