扫描图表中出现峰值。这种峰值的个数越少,或者其半峰宽越窄,越适合用作单晶硅制造用原料。
公开/公告号CN104220867B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-03-15
原文格式PDF
申请/专利权人 信越化学工业株式会社;
申请/专利号CN201380018491.6
申请日2013-03-29
分类号G01N23/20(20060101);C01B33/02(20060101);C30B29/06(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人权太白;谢丽娜
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:53:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N23/20 授权公告日:20170315 终止日期:20190329 申请日:20130329
专利权的终止
2017-03-15
授权
授权
2017-03-15
授权
授权
2015-03-25
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N23/20 申请日:20130329
实质审查的生效
2015-03-25
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 23/20 申请日:20130329
实质审查的生效
2014-12-17
公开
公开
2014-12-17
公开
公开
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