法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-01-25
授权
授权
2014-12-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20130513
实质审查的生效
2014-11-19
公开
公开
机译: 具有InGaAs层和相邻InGaAsP p-n结的光电二极管
机译: GaAs层和InxGa(1-x)主要是在形成于P层之间的InGaAsP上蚀刻四个边界层的化学过程
机译: 一种最常在GaAs和InxGa(1-x)P层之间形成的InGaAsP上腐蚀四元界面层的化学物质