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张玮; 伍萌佳; 陈鸣波;
上海空间电源研究所,上海,200233;
Ⅲ/Ⅴ; 多结; 最高效率; 组分; 子电池厚度;
机译:InGaAs / InGaAsP / InGaAsP步内量子阱对厚度的敏感性以及实现高效电吸收调制器的成分变化
机译:使用正弦驱动的InGaAsP / InGaAsP应变多量子阱DFB激光器/调制器单片集成光源生成有限转换的7ps光脉冲
机译:全固态分子束外延生长的室温晶圆键合InGaP / GaAs // InGaAsP / InGaAs四结太阳能电池
机译:使用FESEM和集成SIMS型材在INP / IngaASP外延生长中InGaAs薄层的厚度和成分监测
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:通过InGaas-InGaasp量子阱结构的选择性混合来集成波导型波长解复用光电探测器
机译:30 mev电子辐照对InGaasp LED(发光二极管)和InGaas光电二极管的影响
机译:可以以包括不小于3.5微米的InGaAsP有源层以及InGaAsP和InP包层的简单结构获得大功率光输出的半导体发光器件
机译:具有选择氧化型或离子注入型电流限制结构,InGaAsp量子阱以及InGaP或InGaAsp势垒层的表面发射半导体激光元件
机译:InGaAsP或InGaAs半导体激光元件,其中有源层的近边缘部分被带隙比有源层大的GaAs光波导层代替
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