公开/公告号CN102576715B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-11-30
原文格式PDF
申请/专利权人 密执安州立大学董事会;
申请/专利号CN201080034885.7
发明设计人 L·E·安托努克;
申请日2010-06-16
分类号H01L27/146(20060101);
代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人陈芳
地址 美国密执安
入库时间 2022-08-23 09:49:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-11-30
授权
授权
2012-09-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20100616
实质审查的生效
2012-07-11
公开
公开
机译: 平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构及其基于薄膜电子器件的平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性
机译: -平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构以及基于薄膜电子的改进平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性的方法
机译: 平板型x射线成像仪中的光电二极管和其他传感器结构以及基于薄膜电子设备的改进平板x射线成像仪中的光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性的方法