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平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构以及用于基于薄膜电子器件来改进平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性的方法

摘要

一种辐射传感器包括:一闪烁层,该闪烁层被配置为在与电离辐射相互作用时发射光子;及一光电检测器,其依次包括第一电极、感光层和与闪烁层邻近设置的可透射光子的第二电极。该感光层被配置为在与所述光子的一部分相互作用时产生电子空穴对。该辐射传感器包括:像素电路,被电连接至第一电极,并且被配置为测量指示在感光层中所产生的所述电子空穴对的成像信号;及平坦化层,被设置在第一电极与像素电路之间的像素电路上,使得第一电极在包括像素电路的平面的上方。所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的一表面与该像素电路至少部分地重叠,且具有在该像素电路的特征的上方的表面翘曲部。所述表面翘曲部具有大于1/2微米的曲率半径。

著录项

  • 公开/公告号CN102576715B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-11-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 密执安州立大学董事会;

    申请/专利号CN201080034885.7

  • 发明设计人 L·E·安托努克;

    申请日2010-06-16

  • 分类号H01L27/146(20060101);

  • 代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人陈芳

  • 地址 美国密执安

  • 入库时间 2022-08-23 09:49:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-11-30

    授权

    授权

  • 2012-09-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20100616

    实质审查的生效

  • 2012-07-11

    公开

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