The University of Texas at Austin;
机译:先进的高迁移率Ge通道金属氧化物半导体器件的栅堆叠技术-锗氧化物的基本方面以及等离子氮化技术在可扩展氮氧化物电介质制造中的应用
机译:纳米金属氧化物半导体器件界面介电常数的不匹配与高K栅极介电质对反型电荷密度的影响
机译:氧化钇氧化as作为锗金属氧化物半导体器件的高k栅极电介质
机译:将替代的高k栅极电介质集成到可扩展的cmos si器件中:si-电介质界面处的化学键合约束
机译:基于future的多金属高k栅极电介质的电气和材料特性,可用于未来的规模化CMOS技术:物理,可靠性和工艺开发。
机译:后栅极介电处理对超临界流体技术对锗基金属氧化物半导体器件的影响
机译:用于未来CMOS技术的掺钽氧化物高k栅极介电膜
机译:推动高Kappa电介质的材料限制,用于超过si CmOs等的科学/技术的高载流子迁移率半导体。