采用CMP对以聚合物为介质层的大马士革工艺中铜沉积后的表面进行平坦化的方法

摘要

本发明提出一种采用CMP对以聚合物为介质层的大马士革工艺中铜沉积后的表面进行平坦化的方法，该方法采用三步研磨来完成铜及阻挡层去除和聚合物（如Polyimide或BCB）的表面平坦化：首先TSV铜研磨液去除表面的铜，然后用阻挡层研磨液去除阻挡层,最后使用胶体研磨液对聚合物层进行平坦化处理。本发明的优点是：利用聚合物来替换硅作为转接板基板，可以省去CVD沉积介质层的工艺步骤，直接在聚合物表面进行工艺成本大大降低；采用化学机械研磨(CMP)对聚合物表面进行平坦化处理可以提高表面均匀性，使后续高密度小线宽的集成成为可能。