法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-09-14
授权
授权
2013-04-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20110926
实质审查的生效
2013-03-27
公开
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机译: 用于GaN基半导体的晶体生长的多晶铝氮化物基材料以及使用该材料制造GaN基半导体的方法
机译: 用于GaN基半导体的晶体生长的多晶铝氮化物基材料以及使用该材料制造GaN基半导体的方法
机译: 用于GaN基半导体的晶体生长的多晶氮化铝基材料以及使用该材料制造GaN基半导体的方法