机译:使用铝诱导结晶形成的Si(111)模板层对非单晶基材上的高度导向GaN薄膜的杂膜(Physte Solidi RRL 3/2018)
机译:铝诱导结晶法(111)取向硅层在SiO_2衬底上生长的多晶BaSi_2薄膜的光响应特性
机译:通过铝诱导结晶方法在SiO_2衬底上制备(111)取向的Si层,然后生长用于光电应用的半导体BaSi_2层
机译:金诱导的层交换结晶在柔性塑料基板上直接形成(111)取向(≥50μm)的Ge晶体
机译:铝在高度失配的晶体基底上诱导的Si(111)结晶
机译:激光结晶硅膜质量的提高通过玻璃基板上的中间介电层
机译:返回盖子:高迁移率In2O3:H通过原子层沉积和固相结晶制备的透明导电氧化物(物理Solidi RRL 12/2014)