一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法

摘要

本发明提供一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法,其多阶缓冲层外延结构,其外延结构的生长方法包括以下具体步骤：将衬底在氢气气氛里进行高温清洁处理，将温度下降到600℃，调整外延生长气氛准备生长多阶LT-AlGaN/MT-GaN/HT-GaN缓冲层，之后生长GaN非掺杂层，生长掺杂浓度稳定的N型GaN层，生长浅量子阱层，生长发光层多量子阱层，生长低温P型GaN层，生长PAlGaN电流阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，外延生长结束后采用纯氮气气氛进行退火处理。本发明通过多阶LT-AlGaN/MT-GaN/HT-GaN缓冲层结构更好的解决蓝宝石与GaN之间的大晶格失配问题,减少穿透位错，改善晶体质量，减小漏电提高外延片的亮度，改进LED发光效率。