公开/公告号CN215680677U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN202121683975.0
发明设计人 魏丹珠;
申请日2021-07-22
分类号H01L23/488(20060101);B81B7/00(20060101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人周耀君
地址 312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
入库时间 2022-08-23 04:19:26
机译: 用于形成半导体器件的栅极电极的方法,用于半导体器件的栅极电极结构以及根据半导体器件结构的结构
机译: 用于形成半导体器件的栅极电极的方法,用于半导体器件的栅极电极结构以及根据半导体器件结构的结构
机译: 形成半导体器件的栅电极的方法,用于半导体器件的栅电极结构以及对应的半导体器件结构