公开/公告号CN212778600U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-03-23
原文格式PDF
申请/专利权人 洛阳市方山耐火材料有限公司;
申请/专利号CN202021590908.X
申请日2020-08-04
分类号F27B9/30(20060101);F27D1/02(20060101);F27B9/34(20060101);F27D1/08(20060101);
代理机构41112 洛阳市凯旋专利事务所(普通合伙);
代理人霍炬
地址 471000 河南省洛阳市新安县铁门沟头村
入库时间 2022-08-22 20:21:09
机译: 一种通过反应离子刻蚀在包括集成半导体电路的衬底上生产金属硅化物和多晶硅现有双层结构的方法
机译: 一种在硅衬底上生产带有多晶硅双层的集成mos-电路结构的方法。
机译: 一种在硅衬底上生产带有多晶硅双层的集成mos-电路结构的方法。