构建适用于平面工艺的N×端射阵直线阵列天线,从而提高太赫兹发射机系统的天线增益和半功率宽度,应用于高输出功率要求的太赫兹发射机阵列系统;另外为了增强该太赫兹端射阵直线阵列天线增益,可以通过在相邻半波长电气长度整数倍的偶极子单元之间插入M(M≥1)个半波偶极子天线。"/>
公开/公告号CN212517542U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-02-09
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江师范大学;
申请/专利号CN202022106332.1
申请日2020-09-23
分类号H01Q21/00(20060101);H01Q21/08(20060101);H01Q1/38(20060101);H01Q1/50(20060101);H01Q9/16(20060101);
代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;
代理人郑海峰
地址 321004 浙江省金华市迎宾大道688号
入库时间 2022-08-22 19:39:02
机译: 基于NxM DRA阵列和NxM NMOSFET阵列的太赫兹检测器及天线设计方法
机译: 基于N×M介质谐振天线阵列的太赫兹检测器和方法
机译: 基于NxM DRA的NMOSFET太赫兹阵列检测器及天线设计方法