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公开/公告号CN211350663U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-08-25
原文格式PDF
申请/专利权人 北京宇翔电子有限公司;
申请/专利号CN201922390211.1
发明设计人 于江勇;李孟瑶;吕宗森;张燏;赵磊;吴迪;苑宁;
申请日2019-12-26
分类号
代理机构北京正理专利代理有限公司;
代理人张雪梅
地址 100061 北京市东城区龙潭路3号
入库时间 2022-08-22 16:14:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-25
授权
机译: 形成具有独立多晶硅栅极厚度的完全硅化的NMOS和PMOS半导体器件的方法及相关器件
机译: 形成具有独立多晶硅栅极厚度的全硅化NMOS和PMOS半导体器件的方法及相关器件
机译: 具有独立的多晶硅栅极厚度的完全硅化NMOS和PMOS半导体器件的形成方法及相关装置
机译:扫描扩散电阻显微镜研究了多晶硅栅引发的CMOS器件故障
机译:适用于40 nm以下CMOS器件的新型多晶硅栅极工程技术,采用激光热处理工艺
机译:一种新颖的p +多晶硅栅栅极CMOS器件
机译:使用镀金多晶硅栅极BioFET的无标签生物传感
机译:一次性编程非易失性存储器中使用的单个多晶硅栅全能无结鳍式场效应晶体管
机译:掺杂方法对亚微米CMOS器件中多晶硅栅电极电性能和微观形貌的影响
机译:多晶硅栅CmOs器件在空间和sDI环境中的性能