机译:扫描扩散电阻显微镜研究了多晶硅栅引发的CMOS器件故障
NaMLab gGmbH, D-01187 Dresden, Germany|Infineon Technol Dresden GmbH, D-01099 Dresden, Germany;
NaMLab gGmbH, D-01187 Dresden, Germany;
Infineon Technol Dresden GmbH, D-01099 Dresden, Germany;
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NaMLab gGmbH, D-01187 Dresden, Germany|Tech Univ Dresden, Nanoelect Mat Univ Technol Dresden, Fac Elect & Comp Engn, D-01062 Dresden, Germany;
Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM); CMOS; Failure analysis; Gate depletion; Polycrystalline silicon (poly-Si); Large poly-Si grain; Blocked implant;
机译:完全耗尽的绝缘体上硅器件的扫描扩展电阻显微镜
机译:扫描扩散电阻显微镜用于击穿电压降低的nLDMOS器件的故障分析
机译:利用高分辨率扫描扩展电阻显微镜直接可视化SRAM负载pMOSFET的故障位门中的异常磷扩散
机译:使用扫描电容显微镜和扫描扩散显微镜,在绝缘体主体上导致绝缘体主体的根部导致失效。
机译:一种深亚微米单栅极CMOS技术,使用通过快速热化学气相沉积形成的原位掺杂硼的多晶硅锗锗栅极
机译:门可调石墨烯器件的制造用于扫描隧道显微镜研究具有库仑杂质
机译:扫描扩展电阻显微镜表征高级硅器件
机译:多晶硅栅CmOs器件在空间和sDI环境中的性能