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用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置

摘要

本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置。所述用于膜层沉积装置的气体注入管,包括位于所述气体注入管侧壁上并沿轴向方向间隔排列的多个进气孔,所述多个进气孔的孔径沿所述轴向方向渐变,以提高所述膜层沉积装置内气体分布的均匀性。本实用新型减小了膜层沉积装置内位于不同位置的晶圆表面生长的膜层厚度差异性,改善了3D NAND存储器的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN208667844U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN201821262692.7

  • 发明设计人 郭帅;

    申请日2018-08-06

  • 分类号

  • 代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人董琳

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

  • 入库时间 2022-08-22 08:37:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-29

    授权

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