一种InGaAsP四元系材料外延生长中III族元素的定标结构

摘要

本实用新型公开了一种InGaAsP四元系材料外延生长中III族元素的定标结构，具体是一种III族元素速率和组分配比定标结构；该结构包括InP衬底、InP缓冲层、In_xGa_1‑xP外延层和InP帽层。该定标结构的X射线衍射摇摆曲线对InP帽层厚度、In_xGa_1‑xP外延层厚度和组分配比敏感，测试精度高，可以同时精确获得镓、铟束源的速率以及组分配比信息。