FinFET结构和用于调整FinFET结构中的阈值电压的方法

摘要

公开了FinFET结构和用于制造FinFET结构的方法。该方法包括对FinFET结构的栅极叠层执行氧退火处理以引起Vt漂移。在侧壁拉低之后以及在硅化之后执行氧退火处理。一种结构，其包含从半导体膜图案化的多个鳍结构。该结构还包含包覆在多个鳍结构周围的栅极叠层。该栅极叠层包含经受横向氧扩散以引起栅极叠层的Vt漂移的高k电介质材料。