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公开/公告号CN206274508U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-06-23
原文格式PDF
申请/专利权人 铠柏科技有限公司;
申请/专利号CN201621051978.1
发明设计人 杨楷;白尚永;
申请日2016-09-13
分类号
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人梁丽超
地址 中国台湾
入库时间 2022-08-22 02:39:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-23
授权
机译: 在反应性离子蚀刻系统中蚀刻氧化硅膜以防止栅极氧化物损坏的方法
机译: 通过高真空等离子体增强原子层沉积系统形成高反应性金属层的方法
机译: 反应性成角度离子束蚀刻系统及其处理基板的方法
机译:用于GaAs通孔蚀刻应用的具有反应性离子蚀刻系统的新型蚀刻技术
机译:影响SiO_2的等离子体辅助原子层沉积的低能量离子的证据:对每个循环和湿蚀刻速率的生长影响
机译:钝化循环中氧化物原子层沉积使用氧化物原子层沉积的空间划分深反应离子蚀刻的概念
机译:反应性离子蚀刻系统的设置。
机译:通过原子层沉积对聚碳酸酯蚀刻离子通道的直径小于100 nm的通道进行共形SiO2涂层
机译:在基于SF6的等离子体中通过低温等离子体增强的原子层沉积法生长的氮化铝掩模层的等离子体蚀刻特性
机译:等离子体和离子蚀刻用于失效分析。第2部分。使用Technics Giga Etch 100-E等离子蚀刻系统对塑料封装和其他半导体器件材料进行蚀刻