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半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法

摘要

一种半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法。温度特性检查装置包括电流施加/电压测定装置和测定对象的半导体发光元件。电流施加/电压测定装置包括电流施加部、电压检测部。电流施加/电压测定装置例如是芯片探针,将探针对准晶圆状态的半导体发光元件的电极来进行电流施加、电压测定。使用所测定的正向电压值和光输出值,例如通过外部的运算部、判定部来进行半导体发光元件的温度特性的好坏判定。由此,能够提供一种不增加芯片面积、能够以低成本实现的温度特性检查装置和温度特性检查方法。

著录项

  • 公开/公告号CN102693925B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 夏普株式会社;

    申请/专利号CN201210082180.3

  • 发明设计人 山本宏明;渡边信幸;近江晋;

    申请日2012-03-26

  • 分类号H01L21/66(20060101);H01L33/00(20100101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人吕晓章

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 09:39:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-25

    授权

    授权

  • 2012-11-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20120326

    实质审查的生效

  • 2012-09-26

    公开

    公开

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