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公开/公告号CN204045568U
专利类型实用新型
公开/公告日2014-12-24
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;
申请/专利号CN201420074497.7
发明设计人 田光宇;任晨佳;陈红旭;程潇骁;
申请日2014-02-20
分类号
代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司;
代理人张文宝
地址 100084 北京市海淀区北京市100084-82信箱
入库时间 2022-08-22 00:24:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-12-24
授权
机译: 半导体器件和功率转换器,驱动逆变器,通用逆变器以及使用该器件的大功率高频通信设备
机译: 一种在功率逆变器中产生感性无功功率或改善功率因数的方法,尤其是电弧会改变容器的方向(马克思-逆变器)
机译:一种平衡全桥逆变器功率半导体器件导通损耗的新型开关算法
机译:三菱电机开发了下一代功率半导体器件技术,利用SiC逆变器成功驱动了额定功率为3.7kW的电动机,与传统型号相比,功率损耗降低了54%。
机译:汽车用高功率密度逆变器
机译:采用层压封装嵌入技术的650 V分立式GaN-on-Si功率器件的功率循环测试
机译:由15 kV碳化硅功率器件实现的中压大功率并网三相逆变器。
机译:高温功率电子器件用碳化硅转换器和MEMS器件的评论
机译:Jidoshayou Dengen System 2 Tekiyosuru微型逆变器IC横田健介功率器件No Kosei Nouka Nikansuru Kenkyu
机译:碳化硅(siC)功率器件对HEV pWm的影响。逆变器损失