公开/公告号CN203423485U
专利类型实用新型
公开/公告日2014-02-05
原文格式PDF
申请/专利权人 北京经纬恒润科技有限公司;
申请/专利号CN201320509825.7
申请日2013-08-20
分类号H02H9/04(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人王宝筠
地址 100101 北京市朝阳区安翔北里11号B座8层
入库时间 2022-08-22 00:01:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-02-05
授权
授权
机译: 半导体结构,双功函数的CMOS器件,双功函数的CMOS电路以及在基板上形成双功函数的CMOS器件的方法(碳化物金属栅极结构和形成方法)
机译: 半导体结构,在双功函数的CMOS器件上形成双功函数的CMOS器件的方法,CMOS电路和双功函数的基板(碳化金属栅极结构和形成方法)
机译: 用于CMOS电路的过压保护电路具有分压器和反相器电路以及与被保护的集成CMOS电路形成在同一衬底上的开关元件