首页> 中国专利> 用于CMOS电路的静电放电（ESD）保护

用于CMOS电路的静电放电（ESD）保护

页面导航

摘要

公开了一种电压钳。该电压钳可以包括多个晶体管以限制电源和接地之间的电压。此外，电压钳可以包括正反馈信号以减少多个晶体管的导通时间。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-03-07

实质审查的生效 IPC(主分类):H02H 9/04 专利申请号:2021101872036 申请日:20210218

实质审查的生效

1. 用于CMOS电路的静电放电（ESD）保护 [P] . 中国专利： CN113270858A . 2021-08-17
2. 静电放电（ESD）保护装置以及用于操作ESD保护装置的方法 [P] . 中国专利： CN108878403A . 2018-11-23
3. ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION FOR CMOS CIRCUITS [P] . US2021257353A1 . 2021-08-19

机译： CMOS电路的静电放电（ESD）保护
4. Electrostatic discharge (ESD) protection structure utilizing floor plan design to protect integrated circuit from ESD event, and related integrated circuit and ESD protection method [P] . 美国专利： US10622347B2 . 2020-04-14

机译：利用平面图设计保护集成电路免受ESD事件的静电放电（ESD）保护结构以及相关的集成电路和ESD保护方法
5. ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION STRUCTURE UTILIZING FLOOR PLAN DESIGN TO PROTECT INTEGRATED CIRCUIT FROM ESD EVENT, AND RELATED INTEGRATED CIRCUIT AND ESD PROTECTION METHOD [P] . 美国专利： US2019013309A1 . 2019-01-10

机译：静电放电（ESD）保护结构，利用地板计划设计来保护集成电路不受ESD事件影响，以及相关的集成电路和ESD保护方法