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公开/公告号CN2811323Y
专利类型
公开/公告日2006-08-30
原文格式PDF
申请/专利权人 北京师范大学;
申请/专利号CN200420084484.4
发明设计人 吴先映;李强;彭建华;刘安东;张荟星;张孝吉;张胜基;
申请日2004-07-30
分类号C23C14/48(20060101);C23C14/32(20060101);
代理机构
代理人
地址 100875 北京市新街口外大街19号
入库时间 2022-08-21 22:51:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-12-31
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2008-06-25
地址不明的通知 收件人:吴先映 文件名称:专利权终止通知书 申请日:20040730
地址不明的通知
2006-08-30
授权
机译: 真空弧等离子体枪沉积系统
机译: 结合真空电弧和等离子体浸没离子注入的薄膜沉积和改性方法
机译:等离子体增强化学气相沉积合成超薄非晶碳膜的热稳定性,过滤的阴极真空弧
机译:对未经过滤的铝真空电弧等离子体在高频短脉冲等离子体浸没离子注入中应用可能性的研究
机译:磁辉弧等离子体源离子注入对管子的内表面进行改性
机译:通过磁过滤的阴极真空弧沉积沉积在聚甲醛基材上的金刚石碳膜
机译:两个磁控真空弧开关的动态建模。
机译:使用等离子体浸没离子注入和沉积对生物材料进行表面改性
机译:磁过滤真空电弧等离子体沉积系统
机译:用于金属等离子体离子注入的阴极弧调制器系统