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真空弧离子注入与磁过滤等离子体沉积复合机

摘要

一种真空弧离子注入与磁过滤等离子体沉积复合机。该设备利用金属蒸汽真空弧离子源提供的载能离子束实现工件的清洗和通过离子注入工件表面改性提高基体与膜层或过渡层结合力;并采用视线外磁过滤金属蒸气真空弧等离子体沉积技术,得到高光洁度、高薄膜密度、良好的薄膜与基体结合力等高质量镀膜。根据需要,真空弧离子注入与磁过滤等离子体沉积复合机可以安装多个金属蒸汽真空弧离子源和多个视线外磁过滤金属蒸气真空弧等离子体沉积源;可以实现离子束清洗,单独离子注入,混合离子注入,单质镀膜,多层镀膜,混合镀膜以及离子注入与镀膜同时进行等功能。

著录项

  • 公开/公告号CN2811323Y

    专利类型

  • 公开/公告日2006-08-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京师范大学;

    申请/专利号CN200420084484.4

  • 申请日2004-07-30

  • 分类号C23C14/48(20060101);C23C14/32(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100875 北京市新街口外大街19号

  • 入库时间 2022-08-21 22:51:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-12-31

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2008-06-25

    地址不明的通知 收件人:吴先映 文件名称:专利权终止通知书 申请日:20040730

    地址不明的通知

  • 2006-08-30

    授权

    授权

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