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公开/公告号CN103701435B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-01-20
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江大学城市学院;
申请/专利号CN201310697210.6
发明设计人 杭国强;胡晓慧;周选昌;杨旸;章丹艳;尤肖虎;
申请日2013-12-17
分类号H03K3/356(20060101);
代理机构33101 杭州九洲专利事务所有限公司;
代理人张羽振
地址 310015 浙江省杭州市湖州街50号
入库时间 2022-08-23 09:34:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-20
授权
2014-04-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H03K3/356 申请日:20131217
实质审查的生效
2014-04-02
公开
机译: 采用浮栅MOS晶体管的数模电流转换器
机译: 采用浮栅MOS晶体管的数模电荷转换器
机译: 采用隧穿的电可编程可擦除MOS浮栅存储器件及其制造方法
机译:采用双栅极MOS_2 FET和石墨烯浮栅制成的可调记忆装置的建模
机译:采用电容隔离方法的低功耗CDMA匹配滤波器,用于浮栅MOS电路技术
机译:采用电容断开技术的基于浮栅MOS的低功耗CDMA匹配滤波器
机译:一种采用异口栅浮栅 - MOS结构的铁电模拟关联记忆技术
机译:省电的模拟系统,可通过浮栅MOS器件为便携式应用执行信号处理。
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:采用亚阈值浮栅mOs晶体管的跨导线路
机译:mOsIs中的浮栅电路。