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用于深紫外线光刻的层状结构以及形成光刻层状结构的方法

摘要

一种用于深紫外线光刻的层状结构以及形成光刻层状结构的方法,其中包括:提供一第一体积的有机抗反射化学品;提供一第二体积的光-酸发生元化学品,第二体积是第一体积的0.01%~30%,且光-酸发生元化学品的含量在有机抗反射化学品与光-酸发生元化学品的总量的1wt%至15wt%范围之外;基本同时混合第一体积的有机抗反射化学品和第二体积的光-酸发生元化学品,以得到一增强抗反射化学品,其酸水平得到提高,其中,增强抗反射化学品酸水平的增加减少了后续在抗反射涂层(ARC)的界面上旋涂深紫光致抗蚀剂层的酸损的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN1182440C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西门子公司;

    申请/专利号CN98116275.4

  • 发明设计人 鲁志坚;

    申请日1998-08-11

  • 分类号G03F7/09;

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波

  • 地址 联邦德国慕尼黑

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-10-08

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2004-12-29

    授权

    授权

  • 2000-07-12

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1999-04-14

    公开

    公开

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