法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-09-30
授权
授权
2012-12-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/04 申请日:20110202
实质审查的生效
2012-10-24
公开
公开
机译: 基于氮化物的III-V族化合物半导体基质及其制备方法,半导体发光器件的制备方法和半导体器件的制备方法
机译: -iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件
机译: 具有绝缘层的金属基质及其制造方法,其半导体器件及其制造方法,太阳能电池及其制造方法,电子电路及其制造方法,以及发光元件及其制造方法