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在高电压摆动情况下为电压控制振荡器(VCO)缓冲器提高装置可靠度

摘要

本发明描述一种用于电压控制振荡器VCO缓冲器的电路。所述电路包括第一电容器,所述第一电容器连接到所述VCO缓冲器的输入端,所述输入端连接到VCO核心。所述电路还包括第二电容器,所述第二电容器连接到所述VCO缓冲器的所述输入端和p型金属氧化物半导体场效应PMOS晶体管的栅极。所述电路进一步包括第一开关,所述第一开关连接到所述第一电容器和所述PMOS晶体管的所述栅极。所述电路还包括第三电容器,所述第三电容器连接到所述VCO缓冲器的所述输入端。所述电路进一步包括第四电容器,所述第四电容器连接到所述VCO缓冲器的所述输入端和n型金属氧化物半导体场效应NMOS晶体管的栅极。所述电路还包括第二开关,所述第二开关连接到所述第三电容器和所述NMOS晶体管的所述栅极。

著录项

  • 公开/公告号CN102474259B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201080029299.3

  • 申请日2010-06-30

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人宋献涛

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:23:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-03-04

    授权

    授权

  • 2012-07-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03L 5/00 申请日:20100630

    实质审查的生效

  • 2012-05-23

    公开

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