公开/公告号CN102655949B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-08-06
原文格式PDF
申请/专利权人 第一太阳能有限公司;
申请/专利号CN201080042358.0
申请日2010-09-21
分类号B05D5/12(20060101);H01L31/00(20060101);
代理机构11286 北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人韩明星
地址 美国俄亥俄州佩里斯堡
入库时间 2022-08-23 09:20:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-08-06
授权
授权
2012-10-31
实质审查的生效 IPC(主分类):B05D 5/12 申请日:20100921
实质审查的生效
2012-09-05
公开
公开
机译: 处理半导体基板边缘的装置和方法,用于通过从半导体基板边缘去除残留颗粒来防止晶体管之间的桥接
机译: 具有改善的粗糙度的边缘的边缘抛光的氮化物半导体基板,边缘抛光的GaN单晶衬底基板以及处理氮化物半导体基板边缘的方法
机译: 基板的局部加热装置,基板的流体的边缘膜厚度的控制装置,所涂敷的基板的流体,基板的涂敷装置,基板的流体的干燥装置,基板的边缘厚度的控制方法