用于抛光具有应变松弛Si1-xGex层的半导体晶片的方法及该方法的用途

摘要

本发明涉及用于抛光具有Si_1-xGe_x应变松弛层的半导体晶片的方法，该方法包括使用含有粒径为0.55μm或更小的固定粘结的研磨剂材料的抛光垫在抛光机中对半导体晶片的Si_1-XGe_x层进行机械加工的第一步骤，以及使用抛光垫并且提供含有研磨剂材料的抛光剂浆料对该半导体晶片前面已经机械加工的Si_1-XGe_x层进行化学机械加工的第二步骤。