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公开/公告号CN102565024B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-06-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学技术大学;
申请/专利号CN201210011500.6
发明设计人 温晓镭;王沛;张斗国;鲁拥华;明海;
申请日2012-01-13
分类号G01N21/65(20060101);
代理机构11251 北京科迪生专利代理有限责任公司;
代理人许玉明;贾玉忠
地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
入库时间 2022-08-23 09:19:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-11
授权
2012-09-12
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/65 申请日:20120113
实质审查的生效
2012-07-11
公开
机译: 发生其制造方法以及局部表面等离子体激元共振和基底金属微粒分散复合物的方法
机译: 基于表面等离子体激元共振的光纤氧传感器
机译: 使用表面等离子体激元共振来确定至少一种与基于烃的分析物的相变有关的特性的光学传感器
机译:基于e逝场激发的局域表面等离子体激元共增强拉曼光谱
机译:导电光栅的非局域模式混合和表面等离子体激元介导的太赫兹场增强
机译:约1 nm间隙的二聚体纳米结构的局部表面等离子体激元与表面增强拉曼散射之间基于单分子和单颗粒的相关性研究
机译:单分子单分子水平金银纳米哑铃(GSNDs)局部表面等离子体激元与表面增强拉曼散射之间的相关性研究
机译:探索基于光栅的表面等离子体激元共振系统,以进行波矢量匹配,以增强等离子体激元模式和初步的表面等离子体激元增强的荧光询问。
机译:局域表面等离子体激元增强了被Pt纳米颗粒覆盖的ZnMgO薄膜的357 nm正向发射
机译:InGaas传感器Inp衬底上线栅偏振器中局域表面等离子体和表面等离子体激元的模拟
机译:主题2量子计算纳米结构表面等离子体激元谐振器;最终报告2004年4月1日至2006年9月30日