公开/公告号CN102326228B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-03-05
原文格式PDF
申请/专利权人 同和控股(集团)有限公司;同和电子科技有限公司;
申请/专利号CN200980157430.1
申请日2009-12-25
分类号
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:17:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-03-05
授权
授权
2012-03-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20091225
实质审查的生效
2012-01-18
公开
公开
机译: III族氮化物半导体生长基板,III族氮化物半导体自立基板以及III族氮化物半导体装置及其制造方法
机译: III族氮化物半导体生长衬底,III族氮化物半导体外延衬底,III族氮化物半导体元件和III族氮化物半导体自支撑衬底及其制造方法
机译: 3-5族氮化物半导体多层基板,3-5族氮化物半导体自立物的制造方法和半导体元件