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画素结构的制作方法及修补方法与修补后的画素结构

摘要

本发明涉及一种画素结构的修补方法。画素结构包括一主动组件、一保护层及一画素电极。主动组件包括一闸极、一闸绝缘层、一半导体层及一金属层。半导体层具有一通道区及一暴露出部分闸绝缘层的开口。金属层的一源极区块与一第二汲极区块位于通道区的两侧上,而金属层的源极区块与一第一汲极区块位于开口的两侧上。画素电极透过保护层的一第一接触窗口与第一汲极区块电性连接。修补方法包括:形成一贯穿画素电极与保护层且暴露出部分第二汲极区块的第二接触窗口;以及形成一导电层于第二接触窗口内,画素电极透过导电层与第二汲极区块电性连接。

著录项

  • 公开/公告号CN102169265B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-02-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201110064650.9

  • 发明设计人 胡筱姗;陈德誉;

    申请日2011-03-17

  • 分类号

  • 代理机构福州元创专利商标代理有限公司;

  • 代理人蔡学俊

  • 地址 350015 福建省福州市马尾区科技园区兴业路1号

  • 入库时间 2022-08-23 09:17:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-03

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02F 1/1362 授权公告日:20140219 终止日期:20170317 申请日:20110317

    专利权的终止

  • 2014-02-19

    授权

    授权

  • 2014-02-19

    授权

    授权

  • 2011-10-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/1362 申请日:20110317

    实质审查的生效

  • 2011-10-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/1362 申请日:20110317

    实质审查的生效

  • 2011-08-31

    公开

    公开

  • 2011-08-31

    公开

    公开

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