法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-11-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/3065 授权公告日:20031224 终止日期:20110910 申请日:19960910
专利权的终止
2003-12-24
授权
授权
1997-11-12
公开
公开
1997-08-13
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
机译: 等离子体蚀刻设备,等离子体蚀刻方法和半导体器件制造方法,包括等离子体蚀刻方法
机译: 半导体器件制造工艺中的蚀刻剂组成,蚀刻方法以及使用该蚀刻剂的缺陷分析方法
机译: 用于半导体器件制造工艺的等离子体蚀刻方法