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化学气相沉积用原料及使用了该原料的含硅薄膜形成方法

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本发明提供一种化学气相沉积用原料，其特征在于，其含有HSiCl(NR

著录项

公开/公告号CN102282291B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-08-21

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社艾迪科;
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申请/专利号CN201080004703.1
发明设计人佐藤宏树;水尾克英;斋藤昭夫;上山润二;
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申请日2010-02-15
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人张楠
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:15:56

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-08-21

授权

授权
2012-03-14

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/34 申请日:20100215

实质审查的生效
2011-12-14

公开

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