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锥刺形无ITO电极结构和等离子显示屏上基板的制作方法

摘要

本发明公开了一种锥刺形无ITO电极结构,包括金属电极X和金属电极Y,其中,金属电极X的放电部和金属电极X的放电部为锥刺形以形成尖端放电。本发明还公开了上述锥刺形无ITO电极结构的等离子显示屏的上基板的制作方法。由于采用锥刺形无ITO电极结构,金属电极X的放电部和金属电极Y的放电部都为锥刺形,以形成尖端放电,降低着火电压,同时遮盖面积比较小,从而增加透光率。

著录项

  • 公开/公告号CN101685741B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-08-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川世纪双虹显示器件有限公司;

    申请/专利号CN200810223470.9

  • 发明设计人 曹瑞林;

    申请日2008-09-28

  • 分类号

  • 代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人尚志峰

  • 地址 100085 北京市海淀区上地信息路11号

  • 入库时间 2022-08-23 09:15:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 11/22 授权公告日:20130828 终止日期:20140928 申请日:20080928

    专利权的终止

  • 2013-08-28

    授权

    授权

  • 2011-09-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 17/04 申请日:20080928

    实质审查的生效

  • 2010-03-31

    公开

    公开

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