首页> 中国专利> 制造化学机械平面化(CMP)垫中的原位凹槽的方法以及新颖的CMP垫设计

制造化学机械平面化(CMP)垫中的原位凹槽的方法以及新颖的CMP垫设计

摘要

本发明提供制造CMP垫中的原位凹槽的方法。一般地说,制造原位凹槽的方法包括以下步骤:构图硅树脂衬层(206);将所述硅树脂衬层(206)设置在模具(200)中或模具(200)上;将所述CMP垫材料添加到所述硅树脂衬层(206);以及使所述CMP垫固化。还描述了包括新颖凹槽设计的CMP垫。例如,在此描述的是包括同心圆凹槽和轴向弯曲凹槽、反向对数凹槽、重叠圆凹槽、利萨如凹槽、双螺旋凹槽以及多重重叠轴向弯曲凹槽的CMP垫。所述CMP垫可以由聚氨酯制成,并且在其中制造的凹槽可由选自硅树脂加衬、激光直写、水射流切割、3-D印刷(printing)、热压成形、真空成形、微接触印刷、热压印及其混合中的方法制造。

著录项

  • 公开/公告号CN101014446B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 尼克斯普勒公司;

    申请/专利号CN200580024127.6

  • 申请日2005-07-15

  • 分类号B24D18/00(20060101);B24B37/26(20120101);B24B37/04(20120101);B29C33/40(20060101);B29C33/56(20060101);B29C41/02(20060101);B29C33/42(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人杨晓光;李峥

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-04

    专利权的转移 IPC(主分类):B24D 18/00 登记生效日:20170718 变更前: 变更后: 申请日:20050715

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-04-03

    授权

    授权

  • 2013-04-03

    授权

    授权

  • 2007-10-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-10-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-08-08

    公开

    公开

  • 2007-08-08

    公开

    公开

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