电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法，该电阻场板非对称栅场效应器件的最小可重复单元中设置有两个不对称的深槽型电阻场板结构，第一个电阻场板结构的顶端设有MOSFET结构且其与MOSFET结构的源极电极连接，第二个电阻场板结构的顶端引出控制电极，当MOSFET结构的源极电极与控制电极同电位连接时，由于两个电阻场板结构的结构不对称、存在差异，二者产生的电场耦合效果更好，更适应提升MOSFET耐压漂移区杂质浓度，降低了漂移区导通电阻而同时保持耐压，优化了导通电阻与耐压之间的基本矛盾，同时，电场耦合效果更好，对相邻的其他最小可重复单元的排斥挤压也降低，从而便于最小可重复单元的结构压缩，有利于结构小型化设计和高密度化设计。