电荷注入多重电极底栅有机场效应晶体管对接触和沟道电阻的影响

摘要

制备多重电极为WO3/Al/WO3、有机层为并五苯、绝缘层为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的底栅有机场效应晶体管,与只有Al为电极的底栅有机场效应晶体管相比迁移率从0.0018cm2V-1s-1增加到0.364cm2V-11s-1,阈值电压从21V降到10V.主要原因是多重电极对底栅有机场效应晶体管的接触电阻和沟道电阻有了明显的改善.