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一种支持DDR3和DDR4标准接收端的内部参考电压电路

摘要

本申请公开了一种兼容DDR3、DDR4标准接收端的内部参考电压电路。该电路包括:N位控制逻辑电路、DAC电路、驱动电路;所述N位控制逻辑电路,基于使能信号EN将输入的N位二进制码转换为控制所述DAC电路的2N位量化码和1位输出控制码C0,N=8;所述DAC电路,用于根据所述2N位量化码和输出控制码C0产生DDR3或DDR4标准接收端所需要的参考电压;所述驱动电路,用于驱动所述DAC电路产生的所述参考电压到DDR3或DDR4标准接收端的参考电压输入端。本申请提供的上述参考电压电路结构简单,输出调节范围宽,抗干扰能力强,并能根据需要选择输出DDR3或DDR4标准接收端所需的参考电压。

著录项

  • 公开/公告号CN115047932A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市紫光同创电子有限公司;

    申请/专利号CN202210615111.8

  • 发明设计人 杨黎;梁爱梅;温长清;

    申请日2022-05-31

  • 分类号G05F1/56;

  • 代理机构深圳市智圈知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人林炮勤

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南一道015号国微研发大楼401

  • 入库时间 2023-06-19 16:47:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-13

    公开

    发明专利申请公布

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