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一种含B2初生相的偏共晶高熵合金及其制备方法

摘要

本发明公开了一种含B2初生相的偏共晶高熵合金及其制备方法,所述合金的通式按原子百分比表达为:Al

著录项

  • 公开/公告号CN114807713A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN202210309470.0

  • 发明设计人 李金富;徐爱东;张永刚;

    申请日2022-03-28

  • 分类号C22C30/00(2006.01);C22C1/02(2006.01);

  • 代理机构上海汉声知识产权代理有限公司 31236;

  • 代理人胡晶

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2023-06-19 16:12:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-08-11

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C22C30/00 专利申请号:2022103094700 申请公布日:20220729

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2022-08-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22C30/00 专利申请号:2022103094700 申请日:20220328

    实质审查的生效

说明书

技术领域

本发明属于共晶高熵合金领域,尤其涉及一种含B2初生相的偏共晶高熵合金及其制备方法。

背景技术

共晶高熵合金结合了传统共晶合金和高熵合金的优势,具有优异的综合力学性能,是目前的研究热点之一。AlCoCrFeNi

然而,目前对AlCoCrFeNi

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种含B2初生相的偏共晶高熵合金及其制备方法,该偏共晶高熵合金结构特殊,加工硬化能力显著,兼具较高的强度和良好的塑性,而且制备方法简单,绿色低碳,无需后续热机械处理,铸态即具有优良的综合力学性能,具有广阔的应用前景。

为实现上述目的,本发明的技术方案为:

一种含B2初生相的偏共晶高熵合金,所述合金的通式按原子百分比表达为:Al

其中,a为16~20,b为16~20,c为16~20,d为0~10,e为36~42,a+b+c+d+e=100。

所述合金的微观组织主要由初生B2相和包含B2相与FCC相的共晶组织组成,其中,所述初生B2相呈等轴树枝晶状,且在所述初生B2相的周侧有FCC相晕圈围绕。

基于相同的发明构思,本发明还提供了一种含B2初生相的偏共晶高熵合金的制备方法,包括:

S1:配料:按照合金通式进行配料,在称取原材料之前,先对原材料表面进行打磨、清洗、干燥;

S2:熔炼:将原材料放置在真空炉内,抽真空并充入保护气体进行熔炼,得到铸锭;

S3:落铸:将铸锭置于长条形的模具上,对铸锭进行加热,铸锭完全熔化后落至模具中,冷却后脱模后得到所述的含B2初生相的偏共晶高熵合金。

优选地,所述步骤S1中所述打磨是将原材料表面的氧化膜用钢丝刷或砂轮机打磨去除。

优选地,所述清洗是在无水乙醇中超声清洗,清洗时间为100~200s。

优选地,所述步骤S1中原材料中铝纯度大于99.5wt%,钴纯度大于99.9wt%,铬纯度大于99.9wt%,铁纯度大于99.9wt%,镍纯度大于99.9wt%。

优选地,所述步骤S2具体包括:

S201:将原材料放置在真空炉内,抽真空到5×10

S202:熔炼合金前,先熔化预置在真空炉内的钛锭以消耗炉内的残留氧气,然后再对合金原材料进行熔炼,熔炼完成后将铸锭翻转,重复熔炼多次,得到最终铸锭。

优选地,所述步骤S2和步骤S3中均是在非自耗真空电弧炉中进行引弧熔炼。

优选地,所述步骤S202中对合金原材料进行熔炼时,熔炼电流为300~350A,每次熔炼时间至少1min。

优选地,所述步骤S3中铸锭的熔炼电流为300~350A。

优选地,所述步骤S2中保护气体为氩气。

本发明由于采用以上技术方案,使其与现有技术相比具有以下的优点和积极效果:

本发明的偏共晶高熵合金通过调整铁的含量,得到偏共晶高熵合金,合金微观结构具有初生B2相,以及B2相和FCC相的共晶组织,且在初生B2相的周围有FCC相晕圈,虽然具有较多硬脆B2相,但最终得到的共熵合金加工硬化能力显著,兼具较高的强度和良好的塑性。

本发明的偏共晶高熵合金无需后续热机械处理,铸态即可达到较高的强度和良好的塑性,制备方式简单,低碳环保。

附图说明

图1为本发明实施例1中制备的Al

图2为本发明实施例1中制备的Al

图3为本发明实施例2中制备的Al

图4为本发明实施例2中制备的Al

图5为本发明对比例1中制备的Al

图6为本发明对比例1中制备的Al

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种含B2初生相的偏共晶高熵合金及其制备方法作进一步详细说明。根据下面说明,本发明的优点和特征将更清楚。

一种含B2初生相的偏共晶高熵合金,所述合金的通式按原子百分比表达为:Al

其中,a为16~20,b为16~20,c为16~20,d为0~10,e为36~42,a+b+c+d+e=100。

所述合金的微观组织由初生B2相和包含B2相与FCC相的共晶组织组成,其中,所述初生B2相呈等轴树枝晶状,且在所述初生B2相的周侧有FCC相晕圈围绕。

目前AlCoCrFeNi

本发明还提供了上述含B2初生相的偏共晶高熵合金的制备方法,包括:

S1:配料:按照合金通式进行配料,在称取原材料之前,先对原材料表面进行打磨、清洗、干燥;

S2:熔炼:将原材料放置在真空炉内,抽真空并充入保护气体进行熔炼,得到铸锭;

S3:落铸:将铸锭置于长条形(长方体或圆柱体)的铜模具上,对铸锭进行加热,铸锭完全熔化后在重力的作用下落至铜模具中,冷却后脱模后得到所述的含B2初生相的偏共晶高熵合金。

作为本发明的一个实施方案,所述步骤S1中所述打磨是将原材料表面的氧化膜用钢丝刷或砂轮机打磨去除。

作为本发明的一个实施方案,所述清洗是在无水乙醇中超声清洗,清洗时间为100~200s。

作为本发明的一个实施方案,所述步骤S1中原材料中铝纯度大于99.5wt%,钴纯度大于99.9wt%,铬纯度大于99.9wt%,铁纯度大于99.9wt%,镍纯度大于99.9wt%,采用电子天平称取原材料,误差控制在±0.001g。

作为本发明的一个实施方案,所述步骤S2具体包括:

S201:将原材料放置在真空炉内,抽真空到5×10

S202:熔炼合金前,先熔化预置在真空炉内的钛锭以消耗炉内的残留氧气,由于钛高温非常活泼,目的是进一步消耗氧;然后再对合金原材料进行熔炼,熔炼完成后将铸锭翻转,重复熔炼多次,以确保得到最终铸锭成分的均匀性。

作为本发明的一个实施方案,所述步骤S2和步骤S3中均是在非自耗真空电弧炉中进行引弧熔炼。

作为本发明的一个实施方案,所述步骤S202中对合金原材料进行熔炼时,熔炼电流为300~350A,每次熔炼时间至少1min。

作为本发明的一个实施方案,所述步骤S3中铸锭的熔炼电流为300~350A。

作为本发明的一个实施方案,所述步骤S2中保护气体为氩气。本发明的合金中诸如铝和铁极易容易氧化,因此在熔炼过程中保持炉腔内高真空状态,而且采用像氩气类的惰性气体进行保护。

以下以具体的实施方式解释本发明

实施例中的所用原料均可从商业渠道获得

实施例1

本实施例公开了一种含B2初生相的偏共晶高熵合金,其化学式Al

上述Al

(1)配料:准备纯度不低于99.95%的Al、Co、Cr、Ni金属原料,用打磨机除去原料表面氧化物,将打磨好的原料置于酒精中进行超声清洗100s,随后取出吹干;

按照48g的总质量和19.61:19.61:19.61:41.17的摩尔比计算并称取出Al、Co、Cr、Ni等原料,每种原料的称量误差控制在±0.001g;

(2)熔炼:将步骤(1)中称取的原料混合后置于真空非自耗电弧炉的水冷铜坩埚中,关闭炉门,抽真空至5×10

起弧后,首先熔炼钛锭以吸收炉内残留氧气,随后对合金原料进行熔炼,熔炼电流为300~350A,熔炼时间为1min,熔炼完成后将铸锭翻转,重复熔炼4次以确保铸锭成分的均匀性;

(3)落铸:将步骤(3)中所得的铸锭置于长方形铜模上,铜模内部尺寸为10mm×10mm×100mm,起弧后将电流调至300~350A,对铸锭进行加热,铸锭完全熔化后在重力作用下落铸至铜模内,冷却后除模得到所述含B2初生相的偏共晶高熵合金。

图1展示了Al

实施例2:

本实施例公开了一种含B2初生相的偏共晶高熵合金,其化学式Al

上述Al

(1)配料:准备纯度不低于99.95%的Al、Co、Cr、Fe、Ni等金属原料,用打磨机除去原料表面氧化物,将打磨好的原料置于酒精中进行超声清洗,随后取出吹干;

按照48g的总质量和17.86:17.86:17.86:8.93:37.49的摩尔比计算并称取出Al、Co、Cr、Fe、Ni等原料,每种原料的称量误差控制在±0.001g;

(2)熔炼:将步骤(1)中称取的原料混合后置于真空非自耗电弧炉的水冷铜坩埚中,关闭炉门,抽真空至5×10

起弧后,首先熔炼钛锭以吸收炉内残留氧气,随后对合金原料进行熔炼,熔炼电流为300~350A,熔炼时间为1min,熔炼完成后将铸锭翻转,重复熔炼4次以确保铸锭成分的均匀性;

(3)落铸:将步骤(2)中所得的铸锭置于长方形铜模上,铜模内部尺寸为10mm×10mm×100mm,起弧后将电流调至300~350A,对铸锭进行加热,铸锭完全熔化后在重力作用下落铸至铜模内,冷却后除模得到所述含B2初生相的偏共晶高熵合金。

图3展示了Al

对比例

共晶高熵合金Al

上述的共晶高熵合金Al

(1)配料:准备纯度不低于99.95%的Al、Co、Fe、Cr、Ni等金属原料,用打磨机除去原料表面氧化物,将打磨好的原料置于酒精中进行超声清洗,随后取出吹干;

按照48g的总质量和16.39:16.39:16.39:16.39:34.44的摩尔比计算并称取出Al、Co、Fe、Cr、Ni等原料,每种原料的称量误差控制在±0.001g;

(2)熔炼:将步骤(1)中称取的原料混合后置于真空非自耗电弧炉的水冷铜坩埚中,关闭炉门,抽真空至5×10

起弧后,首先熔炼钛锭以吸收炉内残留氧气,随后对合金原料进行熔炼,熔炼电流为300~350A,熔炼时间为1min,熔炼完成后将铸锭翻转,重复熔炼4次以确保铸锭成分的均匀性;

(3)落铸:将步骤(2)中所得的铸锭置于长方形铜模上,铜模内部尺寸为10mm×10mm×100mm,起弧后将电流调至300~350A,对铸锭进行加热,铸锭完全熔化后在重力作用下落铸至铜模内,冷却后除模得到所述含B2初生相的偏共晶高熵合金。

图5展示了Al

实施例1、实施例2与对比例相比,共晶高熵合金中只有共晶组织,而本申请的偏共晶高熵合金中既含有共晶组织,也含有初生B2相,力学性能方面虽然屈服强度变化不大,但是抗拉强度有了提升,且加工硬化能力较强。

说明本发明得到的偏共晶合金虽然具有较多硬脆B2相,但加工硬化能力显著,兼具较高的强度和良好的塑性;无需后续热机械处理,铸态即可达到较高的强度和良好的塑性。

上面结合附图对本发明的实施方式作了详细说明,但是本发明并不限于上述实施方式。即使对本发明做出各种变化,倘若这些变化属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则仍落入在本发明的保护范围之中。

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