公开/公告号CN114318516A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-12
原文格式PDF
申请/专利权人 国宏中宇科技发展有限公司;
申请/专利号CN202111599386.9
申请日2021-12-24
分类号C30B23/00(20060101);C30B28/12(20060101);C30B29/36(20060101);
代理机构11283 北京润平知识产权代理有限公司;
代理人吴瑛
地址 100089 北京市海淀区长春桥路11号3号楼12层1204
入库时间 2023-06-19 14:54:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-12
公开
发明专利申请公布
机译: 单晶生长方法和单晶生长坑
机译: 多晶硅储存夹具和制造多晶硅的方法