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公开/公告号CN114141644A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-04
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十一研究所;
申请/专利号CN202111307954.3
发明设计人 折伟林;李乾;师景霞;邢伟荣;李达;
申请日2021-11-05
分类号H01L21/66(20060101);
代理机构11010 工业和信息化部电子专利中心;
代理人于金平
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号
入库时间 2023-06-19 14:23:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-04
公开
发明专利申请公布
机译: 富碲溶液中用于碲化汞镉镉液相生长的含汞量
机译: 分子束外延汞镉碲薄膜的基板支架无效
机译:液相外延生长的NEuro型镉-汞-碲薄膜的磁场中的光电导
机译:液相外延生长的P型镉-汞-碲薄膜在磁场中的光电导
机译:镉型薄膜磁场中的光电导性 - 通过液相外延生长的汞 - 碲
机译:通过氧化铝的原子层沉积研究汞镉碲化物的钝化
机译:汞-锰-碲磁阻测量系统和汞-镉-碲光导建模系统(西班牙语)。
机译:模拟掩埋条件下碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池板中镉和碲的浸出
机译:汞,镉和碲晶体作为红外传感材料的研究
机译:薄膜碲化镉,碲化锌和碲化锌汞太阳能电池。最终分包合同报告,1988年7月1日 - 1991年12月31日