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高达; 王经纬; 王丛; 李震; 吴亮亮; 刘铭;
华北光电技术研究所 北京100015;
硅基碲镉汞; 分子束外延; 材料性能;
机译:在波长范围1.5-1.8妈妈薄膜碲镉汞的光致发光,通过分子束外延而获得
机译:在异质外延结构镉和碲化汞缺陷通过分子束外延在硅衬底上生长的
机译:分子束外延生长的碲化镉汞碲化合物的结构特征
机译:分子束外延生长汞镉碲化镉的应变和取向效应
机译:在分子束外延生长的碲化汞镉中掺入砷。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:使用硅基分子束外延的量子器件和结构
机译:1991年4月29日至5月3日在加利福尼亚州阿纳海姆举行的硅基分子束外延国际研讨会(第四届)
机译:分子束外延汞镉碲薄膜的基板支架无效
机译:碲化汞镉分子束中外延生长的组成和掺杂浓度控制方式
机译:碲化汞镉分子束外延生长的组成和掺杂浓度控制方法
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