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预测瞬态电压抑制二极管对低噪声放大器性能影响的方法

摘要

本发明公开了一种预测瞬态电压抑制二极管对低噪声放大器性能影响的方法;该方法可以用于预测有、无静电放电事件(ESD)发生两种状态下,TVS对低噪声放大器(LNA)性能的影响。首先,提出TVS的电路模型拓扑。然后,利用矢量网络分析仪(VNA)提取TVS阻抗数据,并利用遗传算法(GA)算法进行数据优化提取,以获得TVS等效电路模型。最后,基于TVS高频等效电路模型预测其对LNA性能的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN114091382A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京师范大学;

    申请/专利号CN202111350627.6

  • 申请日2021-11-15

  • 分类号G06F30/33(20200101);G06F30/3323(20200101);G06F30/36(20200101);G01R31/00(20060101);

  • 代理机构32206 南京众联专利代理有限公司;

  • 代理人薛雨妍

  • 地址 210023 江苏省南京市栖霞区文苑路1号

  • 入库时间 2023-06-19 14:15:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F30/33 专利申请号:2021113506276 申请日:20211115

    实质审查的生效

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