非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流低速生长方法

摘要

本发明公开了非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流低速生长方法。采用富Si生长工艺(Si/H2＝0.26‰，C/Si＝0.8)，实现低速生长，生长气氛中保持较高的Si源相对化学势μSi可以使得外延生长台阶高度为1/4c，实现衬底晶格的完整复制，有利于衬底缺陷愈合的同时，还可以得到较高的N型离化掺杂浓度。