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公开/公告号CN114005933A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN202111229192.X
发明设计人 徐明;辜融川;徐开朗;徐萌;杨哲;麦贤良;缪向水;
申请日2021-10-21
分类号H01L45/00(20060101);
代理机构42267 武汉华之喻知识产权代理有限公司;
代理人王世芳;梁鹏
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2023-06-19 14:05:00
机译: 使用阈值电压漂移或电阻漂移容忍的移动基准内存数据编码为多级单元(MLC)存储器实现增强的数据读取
机译: 使用阈值电压漂移或电阻漂移容忍的移动基线存储器数据编码为多级单元(MLC)存储器实现增强的数据写入
机译: 使用阈值电压漂移或电阻漂移容限移动基线存储器数据编码为多级单元(MLC)存储器实现增强的数据部分擦除
机译:基于GESE的卵形阈值切换选择器中的掺杂SI延长耐久性性能和降低的阈值电压
机译:正偏置温度不稳定性中的负阈值电压漂移和掺钇的HfO_2栅介质的负偏置温度不稳定性的正阈值电压漂移的研究
机译:阈值切换选择器:基于高度有序Ag纳米点的阈值切换选择器,用于X点存储应用(Adv。Sci。10/2019)
机译:650 V p-GaN AlGaN / GaN HEMT中的双向阈值电压漂移和栅极泄漏:电子俘获和空穴注入的作用
机译:增强电解质门控晶体管的动态性能:朝向快速切换,低工作电压印刷电子产品
机译:阈值切换选择器:基于高度有序Ag纳米点的阈值切换选择器用于X点存储应用(Adv。Sci。10/2019)
机译:具有对称多层结构的双向阈值切换选择器
机译:Inp n沟道增强模式金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管的阈值电压漂移。