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低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法以及产品

摘要

本发明提供了一种低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法以及产品装置,属于微电子技术领域,在制备过程中,对OTS功能层执行升温工艺,使OTS功能层温度为80℃~120℃,持续时间为50s~200s,以此方式,对OTS功能层加速弛豫,使其提前进入更稳定的非晶态。优选的,使OTS功能层温度为90℃~110℃,持续时间为80s~180s,更优选的,使OTS功能层温度为95℃~105℃,持续时间为85s~150s。本发明通过设计新型的工艺方法,利用玻璃弛豫来降低OTS阈值电压漂移,解决现有技术中OTS阈值漂移较大从而抑制了OTS选通管大量应用的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN114005933A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN202111229192.X

  • 申请日2021-10-21

  • 分类号H01L45/00(20060101);

  • 代理机构42267 武汉华之喻知识产权代理有限公司;

  • 代理人王世芳;梁鹏

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2023-06-19 14:05:00

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