由CVD法形成的SIC结构体

摘要

本发明涉及一种由CVD法形成的SiC结构体，根据本发明的一方面的由CVD法形成的SiC结构体，涉及用于在腔室内部暴露于电浆的SiC结构体，当将垂直于最大限度地暴露于电浆的面的方向定义为第一方向，将水平于最大限度地暴露于电浆的面的方向定义为第二方向时，包括所述第一方向的长度大于所述第二方向的长度的晶粒结构。